MDF11N60BTH Transistor - N-MOSFET 600V 11A (TO220F) Vognmand Specielt beregnet til sikringer på

Specielt beregnet til sikringer på 10-16A

Its unique T30 form factor sets it apart from other bulbs

Gearforhold: 5 2/11: 1

den internationale standard IEC 60900 og er således godkendt til arbejde ved spændingsførende dele op til 1

MDF11N60BTH Transistor - N-MOSFET 600V 11A (TO220F) Vognmand Specielt beregnet til sikringer påHjspndings N kanal MOSFET med lav on state modstand og en hurtig tilkobling. Tekniske detaljer: Kanaltype: N Drain strm kontinuerlig maks.: 11 A Drain source spnding: 600 V Drain source modstand maks.: 550 mOhm Maks. trskelspnding for port: 5V Gate source spnding maks.: 30 V, +30 V Hus: TO220F Elektrisk montage: Printhul Benantal: 3 Transistorkonfiguration: Enkelt Kanalform: Enhancement Effektafsttelse maks.: 49 W Operationel temperatur: 55 +150C Tnd